立足崗位踔厲奮發，加快(kuài)半導體材料創新發展-中國電子科技集團有限公司

　　黨的二十大(dà)報(bào)告強調，要加快(kuài)實施創新驅動發展戰略，加快(kuài)實現(xiàn)高(gāo)水(shuǐ)平科技自(zì)立自(zì)強，以國家戰略需求爲導向，集聚力量進行原創性引領性科技攻關，堅決打赢關鍵核心技術攻堅戰。

　　“終于成功了(le)！”近日，中國電科46所成功制備出2英寸氧化镓同質外(wài)延片，實現(xiàn)在該領域的再次突破。

　　走進緊張忙碌的新型半導體材料重點實驗室，一台台單晶和(hé)外(wài)延生長設備映入眼簾，在這(zhè)些(xiē)看(kàn)似神秘的裝置裏，白(bái)色氧化镓粉末聚沙成塔默默生長，由它打磨而成的抛光片、外(wài)延片，制作(zuò)成的各類器件，在消費電子、新能(néng)源汽車、特高(gāo)壓輸電、軌道(dào)交通等領域有着廣闊應用(yòng)前景。

　　氧化镓作(zuò)爲第四代半導體材料可謂“天資卓越”，超大(dà)禁帶寬度使其能(néng)用(yòng)更少材料制造出更高(gāo)耐壓、更強處理(lǐ)能(néng)力的半導體器件。面對(duì)氧化镓自(zì)主創新重任，46所實施揭榜挂帥，突破2英寸、4英寸氧化镓單晶生長技術，研制出高(gāo)耐壓外(wài)延片，爲實現(xiàn)氧化镓批量生産打下(xià)堅實基礎。

　　這(zhè)是中國電科加快(kuài)關鍵基礎材料自(zì)主創新的生動實踐。

　　堅持把科技命脈掌握在自(zì)己手中，46所以超寬禁帶半導體技術創新爲引領，以矽外(wài)延産業優勢爲依托，加快(kuài)突破先進矽材料和(hé)化合物半導體材料原創技術。

　　從(cóng)率先研制出滿足深紫外(wài)探測要求的高(gāo)透氮化鋁單晶，技術領先的同帶泵浦激光光纖，到(dào)大(dà)幅提升6英寸砷化镓單晶材料電阻率，從(cóng)形成矽單晶、矽片、矽外(wài)延等完整産業鏈，到(dào)光纖環圈産能(néng)産量實現(xiàn)翻番增長。近年來(lái)，立足電子功能(néng)材料領域深厚基礎，46所聚焦“打基礎、見成效、跨越式發展”三步走目标，全面布局一代、二代、三代、四代半導體“賽道(dào)”，奮力實現(xiàn)系列創新突破。

　　創新實力穩步提升，爲産業應用(yòng)提供了(le)硬支撐。

　　全力推進科技成果轉化和(hé)産業化發展，46所加快(kuài)布局第三代半導體材料産業，不斷延鏈擴鏈強鏈，不斷提升行業地位和(hé)影響力，勇擔産業鏈“鏈長”，奮力打造國内領先、世界先進的材料創新發展集群，支撐我國半導體材料産業蓬勃發展。