集群發力、向高(gāo)攀登，第三代半導體産業動能(néng)強勁-中國電子科技集團有限公司

　　“本批訂單共計(jì)96台套，将分多批次發貨。”新年伊始，一批第三代半導體碳化矽外(wài)延裝備從(cóng)長沙發往用(yòng)戶現(xiàn)場，勾勒出中國電科第三代半導體産業發展欣欣向榮的圖景。

　　碳化矽外(wài)延生長設備是碳化矽器件制造專用(yòng)設備中最重要的一類。通過不懈鑽研，電科裝備48所還推出碳化矽用(yòng)立式低(dī)壓化學氣相沉積設備，成功攻克高(gāo)潔淨度環境獲得、高(gāo)穩定壓力控制、高(gāo)精度溫度控制等技術難題。

　　千裏之外(wài)的山西，中國電科（山西）碳化矽材料産業基地生産車間緊張忙碌，一排排3米高(gāo)碳化矽單晶生長設備表面平靜，裏面2000℃以上(shàng)的高(gāo)溫中，正進行着驚人的化學反應——一個個碳化矽晶錠正在快(kuài)速生長。

　　“碳化矽單晶制備是全球性難題，而高(gāo)穩定的晶體生長工(gōng)藝則是其中最核心的一環。”電科材料技術專家表示，深耕碳化矽材料和(hé)大(dà)尺寸單晶“賽道(dào)”，團隊着力突破6英寸、8英寸碳化矽産品的技術難題，順利突破6英寸N型碳化矽襯底産業化技術，實現(xiàn)6英寸産品規模化生産，産品良率等各項指标得到(dào)有效改善，産量産能(néng)再創新高(gāo)，突破大(dà)尺寸單晶制備等關鍵難題，順利研制出8英寸碳化矽襯底，并實現(xiàn)小(xiǎo)批量生産。

　　在不斷刷新材料、裝備研制高(gāo)度的同時(shí)，中國電科持續拓寬器件應用(yòng)廣度。

　　“這(zhè)是一個1200伏、100安的碳化矽半導體器件，電能(néng)的處理(lǐ)和(hé)控制，靠的就是這(zhè)個。”手持小(xiǎo)小(xiǎo)的器件，技術專家介紹道(dào)。随着新能(néng)源汽車市場快(kuài)速發展，碳化矽材料研制的器件、模塊在高(gāo)功率、高(gāo)頻、高(gāo)壓、高(gāo)溫場景下(xià)的優勢愈發明(míng)顯。相同規格下(xià)碳化矽MOSFET的尺寸隻有矽基産品的1/10。與矽基IGBT相比，使用(yòng)碳化矽MOSFET器件，系統能(néng)量損耗可以降低(dī)70%。

　　瞄準新能(néng)源車、智能(néng)電網、光伏發電、軌道(dào)交通等産業需求，國基南方攻克高(gāo)效、高(gāo)頻、高(gāo)功率寬禁帶半導體技術的電力電子器件重大(dà)關鍵技術難題，在碳化矽電力電子器件等領域取得系列重要創新成果。特别是碳化矽MOSFET對(duì)标國際先進，突破多項關鍵工(gōng)藝，推動建立材料外(wài)延、器件設計(jì)、芯片制造、模塊封裝的産業鏈布局，在國内率先建立了(le)6英寸碳化矽器件工(gōng)藝平台，率先實現(xiàn)多型号多尺寸的産品量産和(hé)應用(yòng)，滿足百萬輛車載充電裝置應用(yòng)需求，有力保障汽車電子産業鏈供應鏈安全。

　　潛心深耕第三代半導體“賽道(dào)”，中國電科科研人員以實際行動踐行黨的二十大(dà)精神，立足國家所需、行業所趨、電科所能(néng)，持續加強共性基礎技術研究攻關，努力爲國家第三代半導體技術創新與産業高(gāo)質量發展作(zuò)出新的更大(dà)貢獻。