第三代半導體産業創新發展大(dà)會(huì)在南京召開(kāi)-中國電子科技集團有限公司
9月6日，南京市人民政府、中國電科指導，國家第三代半導體技術創新中心主辦的第三代半導體産業創新發展大(dà)會(huì)在南京召開(kāi)。江蘇省政府黨組成員趙岩，南京市市長陳之常，中國電科總經理(lǐ)、黨組副書記陳錫明(míng)出席會(huì)議(yì)并緻辭。
趙岩表示，江蘇堅持把第三代半導體産業作(zuò)爲未來(lái)産業發展的重點方向，目前已經形成了(le)全産業鏈布局。要深入學習貫徹習近平總書記對(duì)江蘇工(gōng)作(zuò)重要講話(huà)精神，加快(kuài)推動江蘇省第三代半導體技術創新與産業高(gāo)質量發展，爲打造具有全球影響力的産業科技創新中心作(zuò)出積極貢獻。着力加強關鍵核心技術攻關，努力産出更多基礎性、前沿性、颠覆性技術成果；着力強化重大(dà)科技創新平台建設，加快(kuài)構建各類創新主體和(hé)創新資源有效協同的聯合創新體系；着力推動産業高(gāo)質量發展，加快(kuài)科技成果轉化和(hé)産業化，推進産業強鏈補鏈延鏈；着力營造優良創新生态，推動産學研用(yòng)金(jīn)深度融合，加強高(gāo)層次人才引進和(hé)培育，打造第三代半導體領域創新和(hé)人才高(gāo)地。
陳之常表示，南京将錨定産業強市建設戰略部署，發揮科技人才優勢，積極搶占未來(lái)産業新賽道(dào)，着力推動關鍵技術取得新突破、産業能(néng)級實現(xiàn)新躍升、生态支撐達到(dào)新水(shuǐ)平，加快(kuài)打造第三代半導體産業高(gāo)地。希望與中國電科集團全面深化合作(zuò)，攜手推進國家第三代半導體技術創新中心（南京）建設，聚力打造生态化集群式發展樣本，共同書寫央地合作(zuò)、互利共赢的嶄新篇章。
陳錫明(míng)表示，第三代半導體作(zuò)爲全球半導體技術和(hé)産業前沿領域，将有力推動我國戰略性新興産業布局和(hé)發展。中國電科希望與地方政府、行業專家、業界同行開(kāi)展緊密合作(zuò)，加強原創技術供給，強化産學研用(yòng)聯合，推動跨學科、跨領域協同創新，補短闆和(hé)鍛長闆共同發力，科技和(hé)産業深度融合，開(kāi)放(fàng)和(hé)自(zì)主相輔相成，創新體系和(hé)體系性創新相互促進，共同構築自(zì)主創新的“核心圈”和(hé)産業發展的“朋友圈”。
國家第三代半導體技術創新中心在科技部的指導下(xià)、在各地政府的支持下(xià)，與相關高(gāo)校、科研院所、行業企業等密切協同，布局深圳、南京、蘇州、山西、湖南、北京六個區(qū)域平台，聚焦第三代半導體全産業鏈，開(kāi)展協同攻關，突破關鍵共性技術，取得了(le)一批階段性、标志性成果，可持續發展的創新生态初步形成。
經過兩年砥砺奮進，國家第三代半導體技術創新中心（南京）科研團隊聚焦新能(néng)源汽車、光伏、軌道(dào)交通、高(gāo)壓輸變電、智能(néng)電網等賽道(dào)，攻堅“新能(néng)源汽車用(yòng)高(gāo)電流密度高(gāo)可靠碳化矽MOSFET産品”和(hé)“面向智能(néng)電網和(hé)高(gāo)鐵(tiě)應用(yòng)的高(gāo)壓大(dà)功率碳化矽電力電子器件”，收獲一批重大(dà)成果。
碳化矽MOSFET芯片是新能(néng)源汽車車載充電機的“心髒”，可大(dà)幅提高(gāo)新能(néng)源汽車充電效率。科研團隊突破高(gāo)可靠芯片設計(jì)等關鍵技術，形成大(dà)電流碳化矽MOSFET器件系列産品，研制出電驅用(yòng)碳化矽功率模塊系列産品。目前，碳化矽MOSFET芯片已在國内頭部車企車載電源系統中使用(yòng)超過1300萬隻，保障近200萬輛汽車需求。自(zì)主研發的高(gāo)壓碳化矽器件及功率模塊，在全碳化矽柔直變電站(zhàn)投入示範應用(yòng)。生産國内首個邏輯、驅動、功率開(kāi)關全氮化镓半橋功率芯片，爲更高(gāo)工(gōng)作(zuò)頻率、高(gāo)可靠電源應用(yòng)奠定基礎。
大(dà)會(huì)同步召開(kāi)國家第三代半導體技術創新中心專家委員會(huì)會(huì)議(yì)、寬禁帶半導體器件與集成技術全國重點實驗室學術委員會(huì)會(huì)議(yì)，聚焦行業技術前沿、産業上(shàng)下(xià)遊需求，分享科技陣地前沿，探讨産業發展。