中國電科支撐河(hé)北打造第三代半導體創新發展高(gāo)地-中國電子科技集團有限公司

　　8月5日，河(hé)北省第三代半導體産業創新聯合體成立。該聯合體由中國電科13所等15家第三代半導體領域相關核心企業、研究機構、院所聯合發起，着力打造河(hé)北省第三代半導體創新發展高(gāo)地。

第三代半導體擁有較寬的禁帶寬度，更适合于制作(zuò)高(gāo)溫、高(gāo)頻、抗輻射及大(dà)功率的電子器件，在5G基站(zhàn)、新能(néng)源車、高(gāo)鐵(tiě)等領域有着很(hěn)大(dà)應用(yòng)潛力。國家“十四五”規劃和(hé)2035年遠景目标綱要都明(míng)确指出“支持碳化矽、氮化镓等寬禁帶半導體發展”。

　　13所較早在國内開(kāi)始碳化矽功率芯片和(hé)器件研究，具有國内領先的技術實力。立足河(hé)北，13所聚焦碳化矽功率芯片和(hé)器件産品研發生産，率先建立了(le)6英寸碳化矽器件工(gōng)藝平台，具備低(dī)壓到(dào)萬伏級碳化矽二極管、MOSFET、模塊的産品研發能(néng)力。

習近平總書記對(duì)河(hé)北充滿深情、寄予厚望，親自(zì)謀劃、親自(zì)部署、親自(zì)推動實施京津冀協同發展戰略，強調要集聚和(hé)利用(yòng)高(gāo)端創新資源，積極開(kāi)展重大(dà)科技項目研發合作(zuò)，打造我國自(zì)主創新的重要源頭和(hé)原始創新的主要策源地。

中國電科深入貫徹落實習近平總書記關于京津冀協同發展的一系列重要講話(huà)和(hé)重要指示批示精神，把河(hé)北作(zuò)爲集團公司産業布局重點，搶抓數字經濟發展機遇，在第三代半導體等領域持續發力，不斷完善從(cóng)材料到(dào)核心元器件的産業鏈關鍵環節布局，實現(xiàn)第三代半導體材料和(hé)關鍵元器件批量供給，更好(hǎo)服務地方經濟社會(huì)高(gāo)質量發展。中國電科董事(shì)長、黨組書記陳肇雄表示，要發揮好(hǎo)全産業鏈優勢，搶占技術創新“制高(gāo)點”、擔當産業發展“領頭雁”、培育機制創新“試驗田”、打造行業人才“蓄水(shuǐ)池”，有力支撐服務第三代半導體創新發展。

　　2022年，13所全面開(kāi)啓碳化矽産業發展年，推出一系列第三代半導體射頻芯片、電力電子芯片，在無線通信、新能(néng)源汽車等領域廣泛應用(yòng)，爲加快(kuài)打造第三代半導體産業鏈“鏈長”奠定堅實基礎。

同時(shí)，作(zuò)爲國内碳化矽電力電子器件主要供應商之一，13所堅持對(duì)标國際一線廠(chǎng)家，推進6-8英寸碳化矽MOSFET車規級芯片的規劃建設，與國内衆多一線整機廠(chǎng)商建立了(le)緊密合作(zuò)關系，在推動産品國産化的進程中發揮了(le)至關重要的作(zuò)用(yòng)。

氮化镓作(zuò)爲另一種重要的第三代半導體材料，也(yě)是中國電科在河(hé)北布局的重點。13所已在氮化镓領域開(kāi)發了(le)包括氮化镓微波功率器件、微波功率單片集成電路等千餘款産品，産品整體水(shuǐ)平達到(dào)國際先進水(shuǐ)平，效率、功率等部分主要技術指标達到(dào)國際領先水(shuǐ)平。

　　“在氮化镓射頻芯片領域，我們已經實現(xiàn)了(le)從(cóng)外(wài)延生長、芯片設計(jì)、工(gōng)藝加工(gōng)、模塊設計(jì)、封裝測試等全産業鏈自(zì)主創新，并實現(xiàn)産品化。”技術人員介紹。

目前，13所研制出通信基站(zhàn)用(yòng)氮化镓射頻芯片系列上(shàng)百款産品，産品性能(néng)及可靠性均達到(dào)國際先進水(shuǐ)平，累計(jì)銷售近億隻，國内市場占有率達到(dào)40%，有力保障了(le)我國5G基站(zhàn)的建設實施。

　　9月7日，經中央有關部門(mén)批準，13所更名爲中國電科産業基礎研究院，瞄準國家急迫需要和(hé)長遠需求，系統整合集成電路與核心元器件優勢資源，全力打好(hǎo)産業基礎高(gāo)級化、産業鏈現(xiàn)代化攻堅戰，也(yě)将有力推動河(hé)北第三代半導體産業高(gāo)質量發展。